1959 d. C.
Proceso planar de silicio
Materiales y fabricación · Tecnología · Industria
Jean Hoerni desarrolló un proceso que conservaba una capa de dióxido de silicio sobre la oblea para proteger las uniones p–n. Esta pasivación hizo más fiable la fabricación de transistores y creó una base material para producir circuitos integrados a mayor escala; no equivale por sí sola a la invención del ordenador moderno.
Precisión, calendario y revisión
- Inicio
- año · sin calificador de incertidumbre en la ficha
- Calendario y convención
- Años de la era histórica; el calendario de origen no está identificado. No se presupone una conversión de días.
- Año cero
- La escala pasa de 1 a. C. a 1 d. C. sin año cero. Cambiar el nombre de la era solo cambia las etiquetas.
- Revisión documental
- Fecha no registrada
Lectura de la fecha: acontecimiento puntual.
Fuentes
- www.computerhistory.org (abre en una pestaña nueva)
Procedencia y alcance de la fuente
- Fecha de publicación
- No identificada en metadatos; pendiente de revisión documental
- Revisión de la fecha bibliográfica
- 2026-09-23
La correspondencia entre esta referencia y cada afirmación aún no está desglosada.
Esta ficha es una síntesis editorial. Consulta las fuentes para comprobar las afirmaciones y sus límites. Las relaciones cronológicas por sí solas no prueban causalidad.