2012 d. C.
Transistores FinFET de 22 nm en producción de gran volumen
Materiales y fabricación · Semiconductores y fabricación de precisión
Intel informó que sus transistores tridimensionales tri-gate de 22 nm, una forma de FinFET, entraron en producción de gran volumen en 2012. El hito corresponde a una transición de proceso industrial de una empresa, no a la adopción simultánea del FinFET por toda la industria ni a una medida única de rendimiento de todos los chips.
Precisión, calendario y revisión
- Inicio
- año · sin calificador de incertidumbre en la ficha
- Calendario y convención
- Años de la era histórica; el calendario de origen no está identificado. No se presupone una conversión de días.
- Año cero
- La escala pasa de 1 a. C. a 1 d. C. sin año cero. Cambiar el nombre de la era solo cambia las etiquetas.
- Revisión documental
- Fecha no registrada
Lectura de la fecha: acontecimiento puntual.
Fuentes
- www.intel.com (abre en una pestaña nueva)
Procedencia y alcance de la fuente
- Fecha de publicación
- Pendiente de verificación: no se pudo consultar la fuente
- Revisión de la fecha bibliográfica
- 2026-09-23
La correspondencia entre esta referencia y cada afirmación aún no está desglosada.
Esta ficha es una síntesis editorial. Consulta las fuentes para comprobar las afirmaciones y sus límites. Las relaciones cronológicas por sí solas no prueban causalidad.